北京明辉峰尚科技有限公司

0.1%精度贴片电阻,0.5%贴片精密电阻,千分之一精度贴片电阻,千分之五精度贴片电阻

在真空蒸发工艺中，系统真空度是直接影响成膜质量的关键。为了使蒸发原子或分子能淀积在离开蒸发源一定距离的衬底上，真空室的真空度通常应优于6×10-2帕，制作铝膜需要在1×10-3帕以上，制作高纯薄膜须优于10-8帕（见真空获得技术、真空测量技术）。在真空室中,被加热材料的蒸气压在1帕以上时才会产生明显的蒸发。为此，常常需要把材料加热到1000～2000;对于一些难熔材料,甚至要加热到3000左右。蒸发主要有电子束蒸发、多源蒸发、瞬时蒸发、激光蒸发和反应蒸发等方法。多源蒸发：根据薄膜的组分，使用两个以上蒸发源对材料同时加热蒸发，淀积在同一基片上。控制每个蒸发源的强度，即可获得薄膜组分。瞬间蒸发：将按需要配制好的多元素材料置于真空室内特定的容器中，待加热器达到预定温度时，通过送料机构将一定量的材料迅速送到已达高温的加热器上瞬间受热蒸发，从而获得一定组分的薄膜。